5月18日，上海新微半导体有限公司（以下简称“新微半导体”）宣布，基于硅基氮化镓（GaN-on-Si）6英寸/150mm晶圆的40V增强型（p-GaN）功率器件工艺平台开发完成，正式发布量产。

据悉，该工艺平台采用无金工艺，RC<0.4 Ω·mm；栅极采用自对准工艺，且最小线宽低至0.5μm；同时还采用（接触孔钨）钨栓、晶圆表面全局平坦化（CMP）等集成电路互联工艺，并支持Circuit-Under-Pad，可广泛用于手机、平板电脑和笔记本电脑等终端领域。目前已获得客户认可，导入多家客户设计。

此外，新微半导体将陆续推出100V、150V和650V等中、高压功率器件量产工艺。新微半导体成立于2020年，位于上海市临港新片区，一期建筑面积60,000平方米，专注于射频、光电和功率三大化合物半导体的晶圆代工服务，产品广泛应用于通讯、新能源、消费电子、汽车、工业和生物医疗等众多终端应用领域；同时，还为客户提供设计支持与晶圆/芯片测试等增值服务。